近期相关任天国 Switch 2 的技艺细节缓缓浮出水面，其中引东谈主注规划是可能汲取三星第五代 V-NAND 存储技艺。最新筹办成果标明，这将是一项短处逾越。据来自 YouTube 上的 Doctre81 共享的最新视频报谈，在一位曾在三星电子任职至 2019 年的前高等总监的 LinkedIn 页面上，列出了他的责任和主要经历，包括教悔开拓一款用于未指定任天国游戏卡带的 NAND 闪存兑现器竖立。

这位前三星职工在主要设立中还列出了由三星存储器第五代 V-NAND 闪存运转的安全增强型 eMMC 卡的开拓。这与用于未指定任天国游戏卡带的 NAND 闪存兑现器竖立相吻合，同期还合适其他信息，举例改换的未指定独有硬件的安全性和想象新的 PUF IP（物理不行克隆功能）。

任天国 Switch 2 需要更快的读取速率并不及为奇，但使用三星第五代 V-NAND 仍然是一个令东谈主欢叫的音书。尽管与三星行将推出的第九代和第十代 V-NAND 比拟，这被觉得是逾期的技艺，但把柄今天的法子，第五代家具的速率高达每秒 1.4 GB 仍然糟践得志任天国的游戏需求，至少比前一代家具有了显耀擢升。

对于 Nintendo Switch 2 的细节现在所知甚少，但已阐发将再次汲取 NVIDIA 硬件。传闻，T239 芯片将撑合手英伟达的 DLSS 和明后重构等功能。

这些技艺逾越使得东谈主们对任天国 Switch 2 的性能有了更高的渴望，尤其是在游戏体验方面。跟着信息渐渐败露，咱们期待着更多对于这款游戏机的防御信息。